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臺積電先進工藝,限制赴美?

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如果您希望可以時常見面,歡迎標星收藏哦~來 源:內容來自聯合報 ,謝謝。據臺媒報道,臺灣當局立已三讀通過“產業創新條例修正案”,爲避免關鍵技術外流,新規定投資於特定國家或地區、特定產業或技術或達“一定金額”以上須事前申請,經濟部將配合修正子法,據瞭解,一定金額擬由目前十五億元提高至卅億元,朝寬鬆方向鬆綁;全案仍待協商。此外,針對臺積電宣佈擴大赴美投資一千億美元,外界擔憂是否技術外流,行政院長卓榮泰表示將適用“N-1”。依目前規定,一般對外投資,半導體並無明文要“N-1”,但三讀通過產創條例第廿二條,已明訂若“影響安全”、或“對經濟發展不利影響”,可不予覈准對外投資。官員表示,可藉由此條文做爲臺積電赴美審查依據,落實“N-1”。也就是說,將藉由第廿二條要求臺積電赴美投資落實“N-1”。官員表示,根據新法,未來海外投資達“一定金額”以上、或是投資特定國家及地區、特定產業或技術,上述任何一項都要先申請,經過審查後才能放行。產創條例廿二條子法“公司海外投資處理辦法”,目前僅規定公司從事海外投資之金額逾臺幣十五億元者,應於事前申請。未來,子法將修正一定金額以上,並增訂特定國家及地區、特定產業及技術等。據瞭解,經濟部初步構想是提高至臺幣卅億元。據分析,當初明定十五億元審查門檻,是依據央行規定法人每年結匯上限五千萬美元而訂定,而今央行已經提高至一億美元,經濟部擬參考央行結匯規定,修正“一定金額”以上爲臺幣卅億元,這對產業界來說將更寬鬆。至於特定國家及地區,經濟部規劃是指遭聯合國制裁的國家或地區,例如參照戰略性高科技貨品輸出管制地區,主要是國際間管制戰略性高科技貨品出口國家,包括伊朗、伊拉克、北韓、蘇丹、敘利亞、雙俄等。針對特定產業和技術條件,經濟部初步想法,擬以國科會公佈的國家核心關鍵技術爲參考標準,截至目前,國科會公告過兩波共卅二項國家核心關鍵技術,包括十四納米以下製程的IC製造技術及其關鍵氣體、化學品及設備、以及“毫米波氮化鎵(GaN)功率放大器單晶微波集成電路之芯片設計技術”、“高頻功率放大器之氮化鎵半導體制造技術”等。半導體精品公衆號推薦專注半導體領域更多原創內容關注全球半導體產業動向與趨勢*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅爲了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點贊同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。今天是《半導體行業觀察》爲您分享的第4017期內容,歡迎關注。『半導體第一垂直媒體』實時 專業 原創 深度公衆號ID:icbank喜歡我們的內容就點“在看”分享給小夥伴哦


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2025-Jun-08 09:09am (UTC +8)
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